高通、Vicor 与硅光代工：本周公司和技术观察

从一千多安培的电流说起

欢迎收听系统边界，System Boundary。本期用 Zach 授权的克隆声音播报。

一颗功耗一千瓦的处理器，如果核心电压是零点八伏，供电电流就是一千二百五十安培。这个数量级下，把电从芯片旁边送进去，还是从芯片正下方送进去，会成为实实在在的产品差异。我们这周要讲的一家公司，Vicor，就在围绕这个问题做生意。

今天看二零二六年九月十九日到二十六日的公司与技术新闻。先讲高通和苹果的新一轮专利许可续约，再讲 Vicor 的垂直供电，然后看格芯与 SMART Photonics 怎样把激光器接进硅光平台，最后讲 Sofics 在先进工艺上的高电压接口。重点是这些公司本周更新了什么，技术路线具体走到哪一步。涉及更早的产品发布，我们会单独交代时间。

高通续约，放在苹果 C2 的进展里看

九月二十四日，高通宣布与苹果续签全球专利许可协议，新协议从二零二七年四月一日生效。公告很短，没有披露费率，也没有给出新协议的完整期限。因此，现在还算不出这次续约给高通增加了多少收入。

这条新闻放在苹果本月的基带更新旁边，会更有意思。九月九日，苹果发布 iPhone 十八 Pro 时，介绍了新一代蜂窝调制解调器系统 C2。按照苹果的口径，它增加了美国市场的毫米波支持，改善了上传速度，相比 C1X 降低百分之十五的能耗。这里说的是苹果对调制解调器系统的比较，不是整台手机续航增加百分之十五。这场发布早于本周，我们把它作为续约发生时的产品背景。

毫米波值得单独看一眼。它可以提供很宽的可用带宽，但高频信号更容易受到遮挡，手机里的天线阵列、波束控制、射频链路和机身布局，都得一起配合。因此，支持毫米波的意义，在于苹果自有蜂窝平台又覆盖了一类此前需要解决的使用场景。至于真实体验，还要看运营商网络、覆盖条件和后续测试，不能只从芯片名称判断。

再回到高通。它的芯片业务和技术许可业务，本来就有不同的收入来源。苹果自己的调制解调器继续演进，会影响未来芯片采购的空间；这周确认的，则是双方延续专利许可关系。不能拿续约公告反推苹果会购买哪一代高通基带，也不能从 C2 的发布直接算出高通许可收入的变化。

所以这条新闻目前最具体的增量，是新协议的生效日已经确定。而产品线上更值得继续追踪的，是 C2 的网络兼容性、功耗表现，以及苹果自有蜂窝系统覆盖哪些机型。高通这边，后续财报如何描述苹果相关芯片收入和许可业务的变化，会比猜测一份没有公开条款的合同更有信息量。

Vicor：一次许可怎样进入季度收入

接下来是 Vicor。九月二十一日，这家电源公司把第三季度收入的环比增长预期，从接近百分之十，上调到超过百分之二十。公司给出的原因，是最近宣布的垂直供电技术非独占许可带来了特许权使用费。

这里有两个细节。第一，这是收入指引的更新，还不是已经发布的季度实际收入。第二，上调与许可收入有关，不能把增加的部分全部理解成电源模块出货量突然增长。

Vicor 在公告中说，已有四家领先的设备厂商或超大规模数据中心运营商获得相关许可，但没有公开这些客户的名字。我们不能据此把某一家 GPU 公司或云厂商填进去。

这次指引更新，对应的是前一周公布的一项许可。那份公告描述了一个比较具体的采购安排：客户可以向本身没有获得 Vicor 许可的供应商，采购被许可专利覆盖的垂直供电模块。许可对象和实际制造模块的供应商，可以处在不同位置。与此同时，Vicor 仍然销售自己的模块，并提到购买这些模块可能影响其他模块对应的许可费用。

这让 Vicor 在同一条技术路线上，有两种变现方式：自己卖电源器件，以及通过许可参与其他厂商的供货。但公告没有公开费率，也没有把本季度一次性确认的收入与未来持续性收入完整拆开。因此，超过百分之二十这个数字，首先说明许可已经对当季财务预期产生影响，至于它会形成怎样的长期收入曲线，还需要更多季度数据。

接下来真正值得花时间的，是这项技术为什么有人愿意付费。垂直供电究竟改了什么？

垂直供电：把最后一段大电流路径缩短

先把供电路径分成两段。一段负责把电送到计算板附近，另一段负责把电压降到处理器核心需要的水平，再把很大的电流送进芯片。

前一段提高配电电压，通常有助于减少导线里的损耗。做一个理想化比较：在功率和导线电阻相同的情况下，从十二伏配电换成四十八伏，电流降到四分之一。因为电阻损耗与电流的平方成正比，这一段导线的损耗就降到十六分之一。这只是在说这段配电路径，不代表整个供电系统效率提高了十六倍。

困难在后一段。处理器核心仍然需要很低的电压，所以最后总得把电压降下来，电流也随之变大。回到开头的例子，一千瓦、零点八伏，对应一千二百五十安培。如果最后一段路径有零点一毫欧的电阻，仅电阻损耗就大约是一百五十六瓦。这个例子是假设计算，不是某款 Vicor 产品的实测数据。它说明的是，在这个电流等级，走线、连接和供电位置，已经非常重要。

传统侧向布置里，供电器件放在处理器周边，电流需要沿着板子或基板横向走一段，再进入芯片。Vicor 的垂直供电思路，是把靠近负载的电流倍增器布置到处理器下方，尽量贴近供电引脚的位置，从下面把大电流送进去。变化发生在最后这一小段路径。

这背后还有 Vicor 的分比式电源架构。它把调节电压和完成大比例电压变换的功能分开。前面的模块负责稳压，靠近负载的模块主要做固定比例变换。可以把后者近似理解成直流变压器：电压按比例下降，电流按比例上升，实际还要计入转换损耗。这样，最靠近处理器的位置，能够围绕功率密度和电流输送来优化。

这当然不是把一个电源砖挪到芯片下面就结束了。封装底面也有信号连接、机械固定和去耦电容的空间需求。电源模块自身还会发热。缩短电流路径之后，如何安排散热、满足电源瞬态要求、保留装配和维修空间，都会影响方案能否进入实际系统。这些是这种布置方式带来的工程取舍，不能从一份许可公告中读出已经全部解决的结论。

所以，观察 Vicor，后面最有价值的技术信息会是：哪些平台采用了这种结构，功率等级有多高，在可比较的条件下损耗降低了多少，以及模块和封装怎样配合。本周新闻证明许可正在形成收入；产品和系统层面的数据，才会继续解释这条路线能走多远。

格芯与 SMART Photonics：把光源放进硅光平台

九月二十一日，SMART Photonics 宣布与格芯合作，准备推出一个开放接入的光子代工方案。时间点要记清楚：双方给出的普遍可用目标，是二零二七年下半年，现在还处于走向这一目标的阶段。

这项合作把两类材料放到了一起。格芯提供硅光平台，SMART Photonics 提供磷化铟光子器件。硅适合做波导和许多光路结构，也能利用成熟的半导体制造基础。磷化铟更擅长高效地产生和放大光。两者分工之后，问题就变成：怎样把光从一个器件，可靠地送到另一个器件。

公告给出的结构比较明确：在格芯的硅光平台上做出容纳器件的腔体，再把 SMART Photonics 的激光器和半导体光放大器，通过倒装方式接进去。半导体光放大器，就是通常说的 SOA。这是一种不同材料器件的集成，不能把它描述成已经在硅材料里直接长出了同样的激光器。

双方说，在宣布之前，已经进行了一年多的联合工程工作，重点包括尺寸匹配和高效光耦合。这个描述比笼统的战略合作具体得多，因为光源装得进去，和光能高效地耦合进去，是两个不同的问题。

一个直观的例子：如果某段光连接损失三分贝，大致相当于只剩一半的光功率。损耗要由更高的光源输出补回来，或者压缩后面接收端的余量。实际系统还会受到温度、器件差异和装配偏差影响。所以，腔体尺寸、对准精度、材料热膨胀和耦合结构，看上去像制造细节，最后都会进入链路的功耗与成本。

SMART Photonics 自己是什么位置？它是一家专注磷化铟的纯代工厂。现有平台提供光源、放大、调制和探测等光子功能，并有设计工具和工艺设计套件支持。它官网给出的现有能力，是每年五千片四英寸晶圆的产能口径。这里说的是产能，不是已经卖出的晶圆数量，也不是格芯联合方案的产量。

它还公布了与六英寸产线相关的后续规划。四英寸到六英寸，能增加单片晶圆上的可用面积，但最终成本还取决于良率、设备和工艺稳定性，不能只按面积比例推算器件价格。尤其是这次合作，至少包含磷化铟器件制造、硅光制造以及两者的集成。某一个环节有了晶圆产能，并不自动等于整个组合已经能够稳定交付。

对格芯来说，这次合作的具体作用，是把外部的磷化铟光源和放大能力，纳入自己的硅光代工路径。对 SMART Photonics 来说，则是让它的器件进入一套更完整的硅光平台。我们接下来可以期待的，不只是另一份合作声明，而是联合设计规则、客户试产、耦合损耗、温度性能，以及二零二七年下半年的可用性进展。

Tower 的对照：代工平台与光引擎产品

把这个合作放进同行进展里，可以看得更清楚。前一周，九月十七日，NewPhotonics 和 Tower Semiconductor 宣布，一款集成激光器的光引擎光子芯片进入大批量生产。这条新闻不属于本周新增，我们用它作对照。

按照两家公司的公告，这款光引擎面向八百 G 和一点六 T 的连接，单通道速率为二百 G，采用 Tower 的硅光平台，把磷化铟激光器、光放大器等有源光学功能集成进去。这里的速率是厂商给出的产品规格，大批量生产也是厂商的发布口径，不是我们独立核验过的出货量。

这让两个发布之间出现了一个重要差别。格芯与 SMART Photonics 讲的是一项面向客户设计的联合代工服务，目标时间是明年下半年。Tower 与 NewPhotonics 讲的是依托代工平台做出来的一款光引擎产品。一个平台的开放时间，和一家客户某款产品的量产时间，并不是同一个指标，不能把两行日期直接排成技术领先榜。

这两条路线又确实在争取相近的应用机会：随着数据中心链路速率上升，怎样把光源、调制、探测和电子接口组织得更紧凑，同时控制功耗和封装成本。

这里也要留意封装层级。可插拔光模块、放在计算芯片附近的近封装光学，以及与计算芯片放到同一个封装体系里的共封装光学，对电连接距离、散热和维修方式的要求都不同。看到集成激光器，不能直接把它等同于共封装光学已经全面量产。

后续如果两边都能披露光引擎功耗、耦合损耗、良率和实际交付规模，比较才会逐渐落到产品层面。目前可以确认的趋势是，硅光代工厂正在把原来需要客户自己协调的光源集成环节，做成更明确的工艺和产品选项。

Sofics：先进工艺里的三点三伏接口

最后一条新闻，来自比利时的接口和静电保护 IP 公司 Sofics。九月二十三日，它宣布扩展台积电先进工艺上的接口电压选项。公告列举了四纳米 N4C 工艺上的三点三伏接口，以及二纳米 N2P 工艺上的一点八伏接口。

为什么先进节点还需要这些相对较高的电压？因为芯片内部的数字逻辑持续缩小，外部连接的器件和控制信号，却不会同步降到同一个电压。芯片可能仍然需要连接较高电压的外设，或者满足既有板级接口要求。数字核心能够在低电压下运行，并不会让这些连接需求自动消失。

不过，四纳米工艺支持三点三伏接口，不等于工艺里每一颗小尺寸晶体管都能直接承受三点三伏。这类接口需要专门的电路和可靠性设计，让不同器件在正常工作、掉电和外部信号先上电等条件下，都处在允许的应力范围内。具体可以怎样做，取决于工艺规则和电路结构。Sofics 这次没有公开完整内部拓扑，我们不把一般设计方法当作它已经披露的实现。

它公开的一个细节，是四纳米的三点三伏通用输入输出单元包含集成稳压器，可以从核心电源供电，并能针对驱动能力、边沿速度和功耗做调整。这里卖的，是一组可以集成到客户芯片里的电路功能和设计交付物。它和前面高通的全球专利许可，属于不同类型的 IP 生意。

还有静电保护。接口一边要承受正常工作电压，一边又要在静电冲击时快速泄放电流。保护结构如果带来太大的寄生电容，可能拖慢信号；漏电太大，又会影响低功耗状态。保护器件什么时候触发，触发后把电压限制在哪里，能否保护后面的薄栅氧器件，这些参数要放在一起看。

这次发布也有前面的验证脉络。二零二五年十月，Sofics 已经公布过台积电四纳米测试芯片流片，包含多种电压的静电保护和一点八伏、三点三伏接口。本周的新增信息，是更明确的电压选项与许可供应状态，以及向更新工艺的扩展。它不是突然宣布了一种可以任意承受高压的新晶体管。

对这类公司，最有价值的后续信息会比较细：面积、静态漏电、输出驱动能力、允许负载、不同温度和电源状态下的表现，以及具体静电测试等级。公开新闻目前没有给出足够数据，让我们把它和另一家供应商做定量排名。但它已经指向一个具体需求：先进数字芯片要连接现实中的外设，仍然需要专门设计的模拟接口和保护电路。

接下来追踪哪些具体进展

这周的四组新闻，各自留下了不同的后续问题。

高通和苹果，接着看新许可在财报里怎样体现，以及 C2 在实际产品中的网络和功耗表现。Vicor，接着看许可收入的持续性，也看垂直供电进入哪些具体平台，能否拿出可比较的系统数据。

格芯与 SMART Photonics，重点是联合方案从工程合作走向可用代工服务的进度，尤其是光耦合、温度表现和客户试产。Tower 与 NewPhotonics 则提供了一条产品化的参照线，但要等更多指标公开，才能真正比较。Sofics，接着看各节点接口的硅验证、可靠性参数和实际采用情况。

这些公司值得继续跟踪的地方，都在具体产品与技术进展里。下一次有新公告，我们就沿着这些问题更新。这里是系统边界，本期的新闻链接、背景资料和章节时间点，都放在节目页面。我们下期见。